Dispositivos semiconductores. Ensayos de iones móviles para transistores
de semiconductores de óxido metálico de efecto de campo (MOSFET)
(Ratificada por AENOR en septiembre de 2010.)
Circuitos integrados. Medida de la inmunidad electromagnética. Parte 2:
Medida de la inmunidad radiada. Método de la celda TEM y de la celda TEM
en banda ancha (Ratificada por AENOR en julio de 2011.)