DIN EN 62374-1:2011-06
Semiconductor devices - Part 1: Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers (IEC 62374-1:2010); German version EN 62374-1:2010 + AC:2011
| Fecha edición: |
2011-06-01
En Vigor
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|---|---|
| Idiomas disponibles: | Alemán |
| Resumen: | This document describes a test method, test structure and lifetime estimation method of the time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers applied in semiconductor devices. Dieses Dokument legt ein Prüfverfahren, eine Teststruktur und ein Verfahren zum Abschätzen der Bauelemente-Lebensdauer bei Prüfbeanspruchungen gegen den zeitabhängigen dielektrischen Durchbruch (TDDB; en: time dependent dielectric breakdown) für in Halbleiterbauelementen verwendete Isolationsschichten zwischen metallischen Leiterbahnen fest. |
| Keywords: | Checking equipment|Components|Definitions|Dielectric|Dielectric breakdown|Electrical engineering|Electronic equipment and components|Enclosures|Failure|Gates|Heating chamber|Layers|Life (durability)|Semiconductor devices|Stress|Testing|Testing devices|Time-dependent|Voltage|Voltage stress |
| ICS: | 31.080.01 - Dispositivos semiconductores en general |
| CTN: | |
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Equivalencia Internacional |
Idéntica EN 62374-1:2010/AC:2011 Idéntica IEC 62374-1:2010 |
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Reemplazo Normas |
Reemplaza a DIN IEC 62374-1:2008-02 |
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