DIN EN 62374:2008-02
Semiconductor devices - Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) test for gate dielectric films (IEC 62374:2007); German version EN 62374:2007
| Fecha edición: |
2008-02-01
En Vigor
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|---|---|
| Idiomas disponibles: | Alemán |
| Resumen: | This Standard provides a test method of Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) for gate dielectric films on semiconductor devices and a product lifetime estimation method of TDDB failure. Festgelegt sind in dieser Norm sowohl ein Prüf- und Messverfahren zum zeitabhängigen dielektrischen Durchbruch (TDDB; en: time dependent dielectric breakdown) bei dielektrischen Gate-Schichten von Halbleiterbauelementen als auch ein Verfahren zum Abschätzen der Bauelementelebensdauer bezogen auf TDDB-Ausfälle. |
| Keywords: | Breakdown|Checking equipment|Components|Definitions|Dielectric|Electrical engineering|Electronic equipment and components|Enclosures|Failure|Gates|Heating chamber|Life (durability)|Measuring techniques|Semiconductor devices|Stress|Testing|Testing devices|Time-dependent|Voltage|Voltage stress |
| ICS: | 31.080.01 - Dispositivos semiconductores en general |
| CTN: | |
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Equivalencia Internacional |
Idéntica EN 62374:2007 Idéntica IEC 62374:2007 |
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Reemplazo Normas |
Reemplaza a DIN IEC 62374:2004-09 |
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