DIN EN 62418:2010-12
Semiconductor devices - Metallization stress void test (IEC 62418:2010); German version EN 62418:2010
| Fecha edición: |
2010-12-01
En Vigor
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|---|---|
| Idiomas disponibles: | Alemán |
| Resumen: | This standard describes a method of metallization stress void test and associated criteria. It is applicable to aluminium (Al) or copper (Cu) metallization. In diesem Dokument wird ein Prüfverfahren zur Stressmigration und den damit verbundenen Kriterien beschrieben. Es ist für Metallisierungen aus Aluminium (Al) und Kupfer (Cu) anwendbar. |
| Keywords: | Aluminium|Coatings|Copper|Electrical engineering|Electronic equipment and components|Metal coating|Metallic surfaces|Migration|Reliability|Resistance|Semiconductor devices|Stress|Stress tests|Test temperatures|Testing |
| ICS: | 25.220.40 - Recubrimientos metálicos, 31.080.01 - Dispositivos semiconductores en general |
| CTN: | |
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Equivalencia Internacional |
Idéntica EN 62418:2010 Idéntica IEC 62418:2010 |
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Reemplazo Normas |
Reemplaza a DIN IEC 62418:2008-07 |
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