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DIN EN IEC 63373:2023-08

Dynamic on-resistance test method guidelines for GaN HEMT based power conversion devices (IEC 63373:2022); German version EN IEC 63373:2022

Fecha edición: 2023-08-01
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Idiomas disponibles: Alemán
Resumen: In general, dynamic ON-resistance testing is a measure of charge trapping phenomena in GaN power transistors. This publication provides guidelines for testing dynamic ON-resistance of GaN lateral power transistor solutions. The test methods can be applied to the following: a) GaN enhancement and depletion-mode discrete power devices [3]; b) GaN integrated power solutions; c) the above in wafer and package levels. The prescribed test methods can be used for device characterization, production testing, reliability evaluations and application assessments of GaN power conversion devices. This document is not intended to cover the underlying mechanisms of dynamic ON-resistance and its symbolic representation for product specifications.

Im Allgemeinen ist die Prüfung des dynamischen ON-Widerstandes ein Maß für Ladungseinfangphänomene in GaN-Leistungstransistoren. Diese Veröffentlichung enthält Richtlinien für die Prüfung des dynamischen ON-Widerstands von GaN-Lateral-Leistungstransistorlösungen. Die Testmethoden können auf Folgendes angewendet werden: a) Diskrete GaN-Leistungsbauelemente im Anreicherungs- und Verarmungsmodus [3]; b) integrierte GaN-Leistungsbauelemente; c) die oben genannten Lösungen auf Wafer- und Gehäuseebene. Die vorgeschriebenen Prüfverfahren können für die Gerätecharakterisierung, Produktionstests, Zuverlässigkeitsbewertungen und Anwendungsbeurteilungen von GaN-Leistungsumwandlungsgeräten verwendet werden. Dieses Dokument soll nicht die zugrunde liegenden Mechanismen des dynamischen EIN-Widerstands und seine symbolische Darstellung für Produktspezifikationen behandeln.

Keywords: Components|Current transformers|Dynamic testing|Electric cables|Electric power systems|Electrical engineering|Electrical resistance|Electronic engineering|Electronic equipment and components|Energy conversion|Gallium|Measurement|Power transistors|Resistance|Semiconductor devices|Stability|Switch on|Switching circuits|Switching-in|Temperature stress|Test circuits|Testing|Thermal properties|Thermal stress|Transistors|Wafers|Waveforms
ICS: 31.080.30 - Transistores
CTN:

Equivalencia Internacional

Idéntica EN IEC 63373:2022

Idéntica IEC 63373:2022

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El libro en palabras del autor

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