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IEC 63275-2:2022

Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation

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Fecha edición:	2022-05-11 En Vigor
Idiomas disponibles:	Inglés, Francés
ICS:	31.080.30 - Transistores
CTN:	1251
Otras Relaciones	Acuerdo de Frankfurt prEN IEC 63275-2:2021

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El libro en palabras del autor

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