IEC 63378-6:2026
Thermal standardization on semiconductor packages - Part 6: Thermal resistance and capacitance model for transient temperature prediction at junction and measurement points
| Fecha edición: |
2026-02-04
En Vigor
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| Idiomas disponibles: | Inglés, Francés |
| Resumen: | IEC 63378-6:2026 specifies a thermal resistance and capacitance model for semiconductor packages. This model is named the digital transformation using thermal resistance and capacitance (DXRC) model. It predicts transient temperature at junction and measurement points. This document applies to semiconductor packages such as TO-252, TO-263, and HSOP. It supports single chip packages dissipated heat from single package surface. L’IEC 63378-6:2026 spécifie un modèle de résistance thermique et de capacité pour les boîtiers de semiconducteurs. Ce modèle est appelé transformation numérique utilisant le modèle de résistance et de capacité thermiques (DXRC, Digital transformation using thermal resistance and capacitance). Il prédit la température transitoire aux points de jonction et de mesure. Le présent document s’applique aux boîtiers de semiconducteurs tels que TO-252, TO-263 et HSOP. Il prend en charge les boîtiers monopuces dissipant la chaleur d’une seule surface du boîtier. |
| ICS: | 31.080.01 - Dispositivos semiconductores en general |
| CTN: | TC 47/SC 47D - 1372 |
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Otras Relaciones |
Acuerdo de Frankfurt prEN IEC 63378-6:2025 |
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