UNE-EN 62373:2006
Ensayo de estabilidad a temperatura Bias para óxido metálico, semiconductores, transistores de efecto de campo (IEC 62373:2006) (Ratificada por AENOR en noviembre de 2006).
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¡RESERVA TU PLAZA AQUÍ!| Fecha edición: |
2006-11-01
En Vigor
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| Fecha de confirmación: | 2026-02-16 |
| Fecha de ratificación: | 2006-11-01 |
| Idiomas disponibles: | Inglés |
| ICS: | 31.080.30 - Transistores |
| CTN: | CTN 209/SC 47 - Dispositivos de semiconductores |
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Equivalencia Internacional |
Idéntica IEC 62373:2006 Idéntica EN 62373:2006 |
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